【100秒漫谈四中全会】之坚持和完善繁荣发展社会主义先进文化的制

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因此，中社相比起PMN-PT陶瓷，如何改进PMN-PT单晶的压电性能可能是目前更加迫切的问题。坚主义扫描透射电镜以及第一性原理计算进一步确定这一压电性能的提升来源于由钐离子掺杂引发的加强型局部结构无序性。

【成果简介】近期，持和西安交通大学的李飞以及美国宾夕法尼亚州立大学的张树君（ShujunZhang）等人（共同通讯作者）等人继大幅提升PMN-PT陶瓷材料的压电性能后，持和又在高性能PMN-PT单晶的制备方面取得了重大突破。早先的研究发现，完善文化宏观构建铁电相和微观构建局域结构均能促使铁电体的吉布斯自由能曲线扁平化。繁荣发展线条颜色表示A位原子列的距离（D）PMN-30PT晶体中A亚晶格间的原子距离。

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研究人员认为，中社提高PMN-PT陶瓷材料压电性能的方法在PMN-PT单晶上应该同样受用。

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